Descrição
~~Kit com 5 unidades~~
MOSFET N-Channel Infineon de alta performance, ideal para aplicações de potência que exigem elevada corrente e baixa resistência de condução. Com Rds(on) ultrabaixo de apenas 8 m, garante alta eficiência energética e menor aquecimento. Suporta até 110A de corrente contínua e 200W de dissipação, sendo perfeito para fontes, inversores, drivers de motor e sistemas automotivos. Encapsulamento TO-220 facilita a montagem e dissipação térmica. Produto robusto, confiável e de qualidade industrial Infineon.
Ficha Técnica MOSFET Infineon N-Channel 55V 110A
– Fabricante: Infineon Technologies
– Tipo: MOSFET N-Channel
– Tecnologia: Silício (Si)
– Encapsulamento: TO-220-3
– Montagem: Through Hole (THT)
– Tensão Dreno-Fonte (Vds): 55 V
– Corrente Contínua (Id): 110 A
– Resistência Rds(on): 8 m
– Tensão Gate-Source (Vgs): 20 V
– Tensão de Threshold (Vgs th): 2 V
– Carga de Gate (Qg): 97,3 nC
– Dissipação de Potência (Pd): 200 W
– Temperatura de Operação: -55 C a +175 C
– Modo de Canal: Enhancement
– Configuração: Canal único
– Peso Unitário: 2 g




