Descrição
~~Kit com 100 unidades~~
MOSFET P-Channel Nexperia em encapsulamento SOT-23, ideal para aplicações compactas e de baixo consumo. Oferece tensão de dreno-fonte de até 50V e corrente contínua de 180mA, garantindo confiabilidade em projetos eletrônicos. Possui comutação rápida, baixo Rds(on) e excelente desempenho térmico. Indicado para circuitos de controle, chaveamento de carga e proteção. Produto original Nexperia, adequado para uso industrial e profissional.
Ficha técnica MOSFET P-Channel Nexperia (SOT-23)
– Fabricante: Nexperia
– Tipo: MOSFET P-Channel Trench
– Configuração: Canal único
– Modo de canal: Enhancement
– Tecnologia: Silício (Si)
– Encapsulamento: SOT-23-3 (SMD/SMT)
– Tensão Vds: 50 V
– Corrente Id: 180 mA
– Rds(on): 7,5
– Vgs máx.: 20 V
– Vgs(th): 1,1 V
– Carga de gate (Qg): 260 pC
– Dissipação de potência: 420 mW
– Tempo de subida: 11 ns
– Tempo de descida: 25 ns
– Temperatura de operação: -55 C a +150 C
– Montagem: SMD
– RoHS: Compatível



