Ci Memoria Smd K6X8016T3B-TF55 Tsop-44

Descrição

Memória SRAM Samsung K6X8016T3B de alta confiabilidade, desenvolvida para aplicações que exigem acesso rápido aos dados e baixo consumo de energia. Possui organização de 512K x 16 bits, totalizando 8 Mbit, sendo ideal para sistemas embarcados, equipamentos industriais e projetos eletrônicos avançados. Opera com tensão entre 2,7 V e 3,6 V, garantindo estabilidade e eficiência energética. Conta com encapsulamento TSOP-44 para montagem SMD, permitindo integração compacta em placas eletrônicas. Suporta leitura e escrita por byte ou palavra, além de retenção de dados com baixo consumo em modo standby.

Ficha Técnica – K6X8016T3B

• Fabricante: Samsung
• Modelo: K6X8016T3B
• Tipo: Memória SRAM (Static RAM)
• Organização: 512K x 16 bits
• Capacidade: 8 Mbit (1 MB)
• Tecnologia: CMOS de baixo consumo
• Tensão de Operação: 2,7 V a 3,6 V
• Velocidade: até 70 ns (dependendo da versão)
• Corrente em Standby: até 15 µA (industrial)
• Interface: Paralela
• Encapsulamento: TSOP-44
• Faixa de Temperatura:
• Industrial: -40 °C a +85 °C
• Recursos: Saídas tri-state, suporte a backup por bateria, leitura e escrita por byte ou palavra

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