Memória SRAM Samsung K6X8016T3B de alta confiabilidade, desenvolvida para aplicações que exigem acesso rápido aos dados e baixo consumo de energia. Possui organização de 512K x 16 bits, totalizando 8 Mbit, sendo ideal para sistemas embarcados, equipamentos industriais e projetos eletrônicos avançados. Opera com tensão entre 2,7 V e 3,6 V, garantindo estabilidade e eficiência energética. Conta com encapsulamento TSOP-44 para montagem SMD, permitindo integração compacta em placas eletrônicas. Suporta leitura e escrita por byte ou palavra, além de retenção de dados com baixo consumo em modo standby.
Ficha Técnica K6X8016T3B
– Fabricante: Samsung
– Modelo: K6X8016T3B
– Tipo: Memória SRAM (Static RAM)
– Organização: 512K x 16 bits
– Capacidade: 8 Mbit (1 MB)
– Tecnologia: CMOS de baixo consumo
– Tensão de Operação: 2,7 V a 3,6 V
– Velocidade: até 70 ns (dependendo da versão)
– Corrente em Standby: até 15 A (industrial)
– Interface: Paralela
– Encapsulamento: TSOP-44
– Faixa de Temperatura:
– Industrial: -40 C a +85 C
– Recursos: Saídas tri-state, suporte a backup por bateria, leitura e escrita por byte ou palavra
| Peso | 0,361 kg |
|---|---|
| Dimensões | 60 × 21 × 10 cm |
