Descrição
~~Kit com 5 unidades~~
MOSFET N-Channel Infineon de alta performance, ideal para aplicações de potência que exigem elevada corrente e baixa resistência de condução. Com Rds(on) ultrabaixo de apenas 8 mΩ, garante alta eficiência energética e menor aquecimento. Suporta até 110A de corrente contínua e 200W de dissipação, sendo perfeito para fontes, inversores, drivers de motor e sistemas automotivos. Encapsulamento TO-220 facilita a montagem e dissipação térmica. Produto robusto, confiável e de qualidade industrial Infineon.
Ficha Técnica – MOSFET Infineon N-Channel 55V 110A
- Fabricante: Infineon Technologies
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Tecnologia: Silício (Si)
- Encapsulamento: TO-220-3
- Montagem: Through Hole (THT)
- Tensão Dreno-Fonte (Vds): 55 V
- Corrente Contínua (Id): 110 A
- Resistência Rds(on): 8 mΩ
- Tensão Gate-Source (Vgs): ±20 V
- Tensão de Threshold (Vgs th): 2 V
- Carga de Gate (Qg): 97,3 nC
- Dissipação de Potência (Pd): 200 W
- Temperatura de Operação: -55 °C a +175 °C
- Modo de Canal: Enhancement
- Configuração: Canal único
- Peso Unitário: 2 g






