Descrição
~~Kit com 100 unidades~~
MOSFET P-Channel Nexperia em encapsulamento SOT-23, ideal para aplicações compactas e de baixo consumo. Oferece tensão de dreno-fonte de até 50V e corrente contínua de 180mA, garantindo confiabilidade em projetos eletrônicos. Possui comutação rápida, baixo Rds(on) e excelente desempenho térmico. Indicado para circuitos de controle, chaveamento de carga e proteção. Produto original Nexperia, adequado para uso industrial e profissional.
Ficha técnica – MOSFET P-Channel Nexperia (SOT-23)
- Fabricante: Nexperia
- Tipo: MOSFET P-Channel Trench
- Configuração: Canal único
- Modo de canal: Enhancement
- Tecnologia: Silício (Si)
- Encapsulamento: SOT-23-3 (SMD/SMT)
- Tensão Vds: 50 V
- Corrente Id: 180 mA
- Rds(on): 7,5 Ω
- Vgs máx.: ±20 V
- Vgs(th): 1,1 V
- Carga de gate (Qg): 260 pC
- Dissipação de potência: 420 mW
- Tempo de subida: 11 ns
- Tempo de descida: 25 ns
- Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
- Montagem: SMD
- RoHS: Compatível





